[发明专利]一种具有非对称结的硅基探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110763544.3 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113471325A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘智;成步文;郑军;薛春来 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有非对称结的硅基探测器，包括：SOI衬底，包括：底部硅材料层；二氧化硅填埋层；顶层硅，顶层硅上形成波导层；n型轻掺杂区和p型轻掺杂区，形成在顶层硅和波导层上，n型轻掺杂区上形成有n型重掺杂区，p型轻掺杂区上形成有p型重掺杂区；光吸收层形成在波导层上，光吸收层的表面上形成有光吸收层p型轻掺杂区，光吸收层p型轻掺杂区与p型轻掺杂区电性连接；二氧化硅窗口层形成在顶层硅和波导层上；绝缘介质层形成在光吸收层和二氧化硅窗口层上；与n型重掺杂区和p型重掺杂区对应的二氧化硅窗口层和绝缘介质层上分别开有第一电极窗口和第二电极窗口；n电极形成在第一电极窗口上；p电极形成在第二电极窗口上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 对称 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
