[发明专利]芯片封装结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110751186.4 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113571435A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 谭富耀;王鑫璐 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种芯片封装结构的形成方法，包括：第一再布线层形成完后，在包覆第一再布线层的第一介电层上设置第一支撑板，第一支撑板的承载面与电镀第一再布线层用第一电镀用夹点之间具有填充层。填充层可以避免高度断差，使压合过程中，芯片各处受力均匀，防止介电层断裂、感光膜贴合不牢或破裂，不会影响反面布线层制作时的对位精准度，进而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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