[发明专利]防止电弧放电的下电极组件、等离子体处理装置及方法在审
| 申请号： | 202110750302.0 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN115565841A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 叶如彬 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 朱成之;张妍 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止电弧放电的下电极组件，设置在一真空反应腔内，包含：基座，用于支承晶圆并作为下电极组件的中心电极；射频电源，用于向中心电极提供第一射频信号；环部件，围绕中心电极；边缘电极，设置在环部件内并与中心电极电绝缘；边缘电极馈电组件，用于向边缘电极提供第二射频信号；边缘电极馈电组件包含：导电芯和环绕设置于导电芯外围的导电屏蔽层，导电芯与导电屏蔽层之间填充有绝缘层，导电屏蔽层与中心电极电性连接；导电屏蔽层与容纳边缘电极馈电组件的通道内壁之间具有间隙，以容纳该通道的热胀冷缩或由机械误差导致的周围部件组合形成的尺寸不匹配。本发明还提供一种等离子体处理装置，以及一种防止下电极组件电弧放电的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 电弧 放电 电极 组件 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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