[发明专利]读出电路结构在审
| 申请号： | 202110750204.7 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN115565561A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 池性洙;张凤琴;金书延 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/12 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种读出电路结构，设置在存储阵列的间隙中，其中，第一数据读出模块，包括：第一输入/输出管、第三输入/输出管、第五输入/输出管和第七输入/输出管；第一输入/输出管连接第一输入/输出线和第一位线，第三输入/输出管连接第三输入/输出线和第二位线，第五输入/输出管连接第五输入/输出线和第三位线，第七输入/输出管连接第七输入/输出线和第四位线；第一输入/输出管、第三输入/输出管、第五输入/输出管和第七输入/输出管用于接收列选择信号，并基于列选择信号导通；第一均衡管连接第一位线；第三均衡管连接第二位线；第五均衡管连接第三位线；第七均衡管连接第四位线，以解决存储器预充电速度慢的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 电路 结构 | ||
【主权项】：
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