[发明专利]一种高正向浪涌电流能力的SiC二极管及加工工艺在审
| 申请号： | 202110750007.5 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113471300A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张振中;郝建勇 | 申请（专利权）人： | 杭州中瑞宏芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 徐炜豪 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高正向浪涌电流能力的SiC二极管及加工工艺,包括SiC层(1)，SiC层(1)上设有若干第一沟槽(2)，第一沟槽(2)的中部上端设有第二沟槽(3)，第二沟槽(3)内填充有浅P+grid层，第一沟槽(2)和第二沟槽(3)之间填充有深P‑grid层，SiC层(1)的外部设有离子注入层(4)。本发明能够进一步提高SiC二极管的正向浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正向 浪涌 电流 能力 sic 二极管 加工 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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