[发明专利]一种超突变变容二极管有效
| 申请号： | 202110747919.7 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113488546B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 马文力;董文俊;张雪飞;李浩;徐婷 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 罗超;黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种超突变变容二极管，包括：N型重掺杂衬底；N型轻掺杂外延层，设置于所述N型重掺杂衬底上方；P型重掺杂层，设置于所述N型轻掺杂外延层内上部，所述P型重掺杂层向下延伸出若干个凸起一，若干个所述凸起一均呈柱状且相互间隔分布；N型掺杂缓冲层，设置于所述N型轻掺杂外延层和所述P型重掺杂层之间。该超突变变容二极管P型重掺杂层和N型掺杂缓冲层的剖面呈叉指状延伸入N型轻掺杂外延层内，使得在不增加反偏结电容的前提下，增大了器件的零偏结电容，从而显著增大器件的变容比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 突变 变容二极管 | ||
【主权项】：
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