[发明专利]一种超突变变容二极管

权利要求书

1.一种超突变变容二极管，其特征在于，包括：

N型重掺杂衬底；

N型轻掺杂外延层，设置于所述N型重掺杂衬底上方；

P型重掺杂层，设置于所述N型轻掺杂外延层内上部，所述P型重掺杂层向下延伸出若干个凸起一，若干个所述凸起一均呈柱状且相互间隔分布；

N型掺杂缓冲层，设置于所述N型轻掺杂外延层和所述P型重掺杂层之间，所述N型掺杂缓冲层沿所述凸起一向下延伸；

其中，所述N型重掺杂衬底向上延伸出若干个凸起二，若干个所述凸起二均呈柱状且相互间隔分布，所述凸起二与所述凸起一间隔交错设置。

2.根据权利要求1所述的超突变变容二极管，其特征在于：在N型轻掺杂外延层上方设置有正面多层金属，所述正面多层金属与所述P型重掺杂层连通，在N型重掺杂衬底下方设置有背面多层金属。

3.根据权利要求1所述的超突变变容二极管，其特征在于：所述P型重掺杂层掺杂浓度为1×10¹⁷/cm³～3×10¹⁹/cm³，所述凸起一高度为1μm～50μm，所述凸起一剖面宽度为0.1μm～20μm。

4.根据权利要求3所述的超突变变容二极管，其特征在于：所述N型重掺杂层掺杂浓度为1×10¹⁷/cm³～3×10¹⁹/cm³，所述凸起二高度为1μm～50μm，所述凸起二剖面宽度为0.1μm～20μm。

5.根据权利要求4所述的超突变变容二极管，其特征在于：所述N型掺杂缓冲层的厚度为0.1μm～10μm，掺杂浓度为5×10¹⁵/cm³～5×10¹⁷/cm³。

6.根据权利要求5所述的超突变变容二极管，其特征在于：所述N型掺杂缓冲层的浓度从上至下呈均匀分布、线性分布、高斯分布或余误差分布。

7.根据权利要求6所述的超突变变容二极管，其特征在于：所述N型掺杂缓冲层的掺杂浓度峰值靠近P型重掺杂一侧。