[发明专利]一种p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110746841.7 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113410365A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 薛建凯;郭凯 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 郝亮 |
| 地址： | 047500 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种p‑AlGaN外延基底的深紫外LED芯片及其制备方法，所述深紫外LED芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极(203)和p电极(208)，其特征在于，所述LED外延片的最上层为p‑AlGaN层(206)且部分所述p‑AlGaN层(206)上设置有p型欧姆接触层(207)，所述p型欧姆接触层(207)由氧化锡薄膜制成且所述p电极(208)设置在所述p型欧姆接触层(207)上。其能够高效完成氧化锡欧姆接触层的制备，从而提高光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 外延 基底 深紫 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司，未经山西中科潞安紫外光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110746841.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制冷机械的通风管道及其安装方法
- 下一篇：一种自洁型高强度棒形瓷绝缘子
