[发明专利]超结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110742093.5 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115566039A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安;曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，包括：依次形成于N型半导体衬底上的N型冗余外延层和N型缓冲层；在N型缓冲层之上形成有沟槽填充型超结结构；超结器件的背面结构包括漏区；N型半导体衬底在背面减薄工艺中被去除，N型冗余外延层在背面减薄工艺中被完全或部分去除；N型半导体衬底的电阻率为顶层外延层的电阻率的0.1倍～10倍，N型冗余外延层的电阻率为N型半导体衬底的电阻率的0.1倍～10倍，N型冗余外延层的电阻率低于N型缓冲层的电阻率。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能消除高浓度衬底的杂质外扩对超结结构的不利影响，从而使得超结结构能实现超低比导通电阻结构，同时还能保证背面能形成良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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