[发明专利]一种提升Nor Flash存储器存储性能的方法及装置在审
| 申请号： | 202110738997.0 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113470730A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 盛荣华;杨帅;陈真;李政达;任军;吕向东;唐伟童 | 申请（专利权）人： | 恒烁半导体（合肥）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218 | 代理人： | 袁浩 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市庐阳区天*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，公开了一种提升Nor Flash存储器存储性能的方法及装置，其中方法包括在接收上电操作命令后即对存储阵列分区域检测读取位线上的电流并转换为电压△Vt，对最高修复等级的区域交替进行阈值电压修复操作和修复验证操作，等待下一次上电操作命令送达并重复执行直至完成所有区域修复操作，同时直接认定出现断电或违规复位操作时执行擦除操作的区域为最高修复等级区域；本发明结合上电操作匹配执行修复动作，不会在上电过程增加过多无用时间，平衡了修复时间与上电总时长的关系，有效达到提高问题单元阈值电压的目的，有力防止存储单元出现漏电的问题，保证了存储的稳定性和可靠性，节省了大量时间和功耗，有着切实意义上的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 nor flash 存储器 存储 性能 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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