[发明专利]一种深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 202110727159.3 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113451472B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 江宾;林素慧;黄敏;彭康伟;曾明俊;曾炜竣 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种深紫外发光二极管，具有衬底、制作在衬底上的半导体层序列，半导体层序列包括与衬底接触的第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，第一金属接触电极与第一半导体层电连接，第二金属接触电极与第二半导体层电连接，衬底的厚度为300μm至900μm，至少部分第一金属接触电极比有源层更靠近发光二极管边缘，有源层相对衬底表面内缩设置，即至少部分第一金属接触电极位于激光切割面和有源层之间，有源层与激光切割面最近的距离为30μm至100μm，解决深紫外产品有源层容易被激光破坏的问题，降低激光对发光二极管特别是有源层造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】：
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