[发明专利]硅基混成多量子阱结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110720680.4 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115602767A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;孙夺 | 申请（专利权）人： | 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 杨东明;林嵩 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种硅基混成多量子阱结构，包括依次设置于衬底上的缓冲层和至少一个组合层；所述组合层包括势垒层和BGaAsBi材料的势阱层，所述势阱层的材料组分满足：B |
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| 搜索关键词： | 混成 多量 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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