[发明专利]沟槽栅逆导型IGBT器件在审
| 申请号： | 202110720251.7 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113451400A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孙娜;李淑霞 | 申请（专利权）人： | 宁波达新半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅逆导型IGBT器件，沟槽栅分成了第一栅极结构和第二栅极结构，漂移区的背面通常形成有集电区和与集电区掺杂类型相反的背面源区，第二栅极结构控制第二沟道形成的第二阈值电压小于第一栅极结构控制第一沟道形成的第一阈值电压。第二栅极结构的第二栅极导电材料层和发射区一起都连接到发射极，由发射区、通过第一栅极导电材料层控制的基区、漂移区和集电区组成IGBT单元。由发射区、通过第二栅极导电材料层控制的基区、漂移区和背面源区组成反向恢复晶体管单元。本发明通过单极导电模式的反向恢复晶体管单元来输运反向恢复电流，能提高反向恢复的开关速度和功耗，改善反向恢复特性；还能改善器件的电容特性和栅电荷特性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅逆导型 igbt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波达新半导体有限公司，未经宁波达新半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110720251.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
