[发明专利]通过离子凝胶提高抗辐射性的薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110720103.5 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113451415A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 方欲晓;赵春;杨莉;刘伊娜;赵策洲 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过离子凝胶提高抗辐射性的薄膜晶体管，其包括自下而上依次层叠设置的衬底、绝缘层、源漏电极、半导体层、离子凝胶层以及栅电极，在离子凝胶层和半导体层之间的界面及离子凝胶层和栅电极之间的界面形成有双电子层，双电子层可以有效组织辐射引发的电子隧穿现象，提高器件的抗辐射性，该器件可承受兆拉德(二氧化硅)级别的辐照；离子凝胶、双电子层的液体性质，使得其能够自我恢复或修复，器件的稳定性强和使用寿命长；采用纯溶液法制备半导体层和离子凝胶层，操作简单方便，设备和原料投资较少，可用于大面积器件的制备，实现大规模工业应用；在低温下以极低的成本制备具备高抗辐射性的薄膜晶体管，制备工艺简单安全环保。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 离子 凝胶 提高 辐射性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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