[发明专利]功率MOSFET器件安全工作区的双栅拓宽方法及电路在审
| 申请号： | 202110720060.0 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380895A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;童鑫;李春晓;尹储;蒋彦博;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H03K17/081;H03K17/687 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种功率MOSFET器件安全工作区的双栅拓宽方法及电路，包括在功率MOSFET器件上增设第一、第二栅总线，将功率MOSFET的一部分元胞的栅极连接于第一栅总线，将功率MOSFET的另一部分元胞的栅极连接于第二栅总线，功率MOSFET的漏极和源极分别连接所有元胞结构的漏和源。外部输入信号控制第二栅总线连接的元胞的开启与关闭，由微控制器比较MOSFET的漏极和源极电压，控制连接于第一栅总线的元胞的开启与关闭：当输入信号为高电平且当MOSFET的漏源电压高于预定电压时，开启第二栅总线连接的元胞并关闭第一栅总线连接的元胞；当输入信号为高电平且当MOSFET的漏源电压小于预设电压时，开启全部元胞。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 器件 安全 工作 拓宽 方法 电路 | ||
【主权项】：
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