[发明专利]双势垒肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202110707635.5 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113436970A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 徐光伟;向学强;石中玉;赵晓龙;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/329;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种双势垒肖特基二极管的制备方法，包括：在衬底上制备外延层；在所述外延层上生长金属氧化物薄膜作为高势垒肖特基；利用快速热退火，使所述金属氧化物薄膜形成金属氧化物纳米颗粒层；制备金属层覆于所述金属氧化物纳米颗粒层上得到低势垒肖特基；以及在所述衬底的背面制备欧姆接触，完成双势垒肖特基二极管的制备。上述方法制备的双势垒肖特基二极管能够有效缓解现有技术中肖特基二极管难以同时降低开启电压和降低反向漏电流等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 双势垒肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110707635.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
