[发明专利]一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座在审
| 申请号： | 202110702427.6 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113481594A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张海涛;山本晓;许彬 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/10;C30B25/14;C30B29/40;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 刘秀颖 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN制备相关技术领域，且公开了一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座，包括基板支架和内嵌基板，所述内嵌基板设置在基板支架的内侧，内嵌基板的表面环形阵列开设有多个嵌入开口。该用于气相外延反应腔结构的自公转基座，工艺气体通过空腔基板主体与嵌入开口内侧壁之间缝隙溢出时，环形阻流坡能够有效阻止工艺气体垂直向下的溢出，而环形阻流槽的设置对向下垂直溢出回流的工艺气体进行阻流，同时环形限流坡和环形限位槽的设置，进一步的减少溢出回流气体通过环形嵌入圈和环形嵌入槽之间的缝隙导出，在保障结构之间配合活动稳定的前提下，最大限度的减少工艺气体的溢出，从而有效保障工艺气体的供给反应效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 外延 反应 结构 公转 基座 | ||
【主权项】：
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