[发明专利]一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座

权利要求书

1.一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座，包括基板支架和内嵌基板，其特征在于：所述内嵌基板设置在基板支架的内侧，内嵌基板的表面环形阵列开设有多个嵌入开口，嵌入开口内设置有相对应的空腔基板主体，内嵌基板的环形内侧设置有内啮合齿，基板支架的正下方设置有用于驱动的输出轴，输出轴的末端安装有中心齿轮，输出轴上通过定位轴承连接有行星支撑板，星形支撑板上活动安装有与空腔基板主体相对应的传动轴，传动轴上安装有与中心齿轮相啮合的行星齿轮，行星齿轮与内嵌基板的内啮合齿相啮合，传动轴的末端与相对应的空腔基板主体相连接；

所述嵌入开口的内侧壁开设有环形嵌入槽，空腔基板主体的环形侧壁安装有与环形嵌入槽相适配的环形嵌入圈，环形嵌入圈嵌入相对应的环形嵌入槽的内侧，环形嵌入槽的内侧顶部设置有相互衔接的环形阻流槽和环形限流槽，环形嵌入圈与相对应环形阻流槽和环形限流槽契合部分分别设置有环形阻流坡和环形限流坡，环形阻流坡和环形限流坡分别嵌入相对应的环形阻流槽和环形限流槽内；

所述空腔基板主体的内腔顶部开设有安装槽，安装槽内安装有用于工艺气体沉积升温的加热器。

2.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座，其特征在于：所述空腔基板主体和内嵌基板的表面均采用高纯碳材料制成，空腔基板主体和内嵌基板的高纯碳表面均涂有SiC涂层。

3.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座，其特征在于：所述空腔基板主体的表面、内嵌基板的表面和基板支架的表面相平齐。

4.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座，其特征在于：所述空腔基板主体的环形侧壁与嵌入开口内侧壁之间留有活动间隙。

5.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座，其特征在于：所述加热器的加热面与空腔基板主体的内侧顶部表面相贴合。

6.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座，其特征在于：所述输出轴的轴心线和基板支架的垂直轴心线相重合。