[发明专利]基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法在审
| 申请号： | 202110699603.5 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113361178A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 杨智明;俞洋;肖紫文;方旭 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/3308 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 张利明 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决现有MIV故障检测只能检测开路、短路等硬性故障，无法检测参数偏移量较小的MIV故障的问题。包括：通过有限元仿真软件建立通孔的无故障MIV标准电学模型，并对其电学参数进行调整获得参考电学模型，使其电学参数小于并无限接近无故障MIV标准电学模型的电学参数；使充满电的被测MIV与参考电学模型同时放电，采用RS锁存器与滤波器共同对被测MIV与参考电学模型的放电结束时刻进行监测，若被测MIV的放电时间小于参考电学模型的放电时间，则判定被测MIV存在故障；若被测MIV的放电时间大于或等于参考电学模型的放电时间，则判定被测MIV无故障。本发明对MIV故障可实现高精度测试。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 rs 锁存器 单片 层间通孔 故障 检测 方法 | ||
【主权项】：
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