[发明专利]基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法

权利要求书

1.一种基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，其特征在于包括，

通过有限元仿真软件建立通孔的无故障MIV标准电学模型，并对其电学参数进行调整获得参考电学模型，使参考电学模型的电学参数小于并无限接近无故障MIV标准电学模型的电学参数；

使充满电的被测MIV与参考电学模型同时放电，采用RS锁存器与滤波器共同对被测MIV与参考电学模型的放电结束时刻进行监测，若被测MIV的放电时间小于参考电学模型的放电时间，则判定被测MIV存在故障；若被测MIV的放电时间大于参考电学模型的放电时间，则判定被测MIV无故障。

2.根据权利要求1所述的基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，其特征在于，

设置第一支路和第二支路分别连接参考电学模型和被测MIV；

第一支路包括第一非门和第二非门，

电平输入信号In经第一非门同时连接参考电学模型和第二非门；

第二支路包括第三非门和第四非门，

电平输入信号In经第三非门同时连接被测MIV和第四非门。

3.根据权利要求2所述的基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，其特征在于，

第二非门和第四非门的输出信号作为RS锁存器的两个输入信号，RS锁存器的两个输出信号作为滤波器的两个输入信号；RS锁存器用于判断其两个输入信号中先发生电平跳变的输入信号；滤波器用于抑制亚稳态电平，从而实现ps级时间差的判定。

4.根据权利要求3所述的基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，其特征在于，

所述被测MIV为n个，n个被测MIV通过CP控制单元控制选定相应的被测MIV导通。

5.根据权利要求4所述的基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，其特征在于，

n个被测MIV和参考电学模型分别通过对应的传输门开关TG控制导通。

6.根据权利要求5所述的基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，其特征在于，

所述CP控制单元用于产生n+1路CP信号，其中CP₀用于控制参考电学模型的传输门开关TG₀；CP₀至CP_n用于控制n个被测MIV的传输门开关TG₁至TG_n；

在测试第n个被测MIV时，CP₀＝1，CP_n＝1，其它CP信号均为0。

7.根据权利要求6所述的基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，其特征在于，

所述无故障MIV标准电学模型采用π型集总参数模型表示。

8.根据权利要求7所述的基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，其特征在于，

参考电学模型中，参考电容调整为无故障MIV标准电学模型电容的0.99倍，参考漏电电阻调整为无故障MIV标准电学模型漏电电阻的0.99倍。