[发明专利]反馈锁存器电路有效

专利信息
申请号: 201680033403.3 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN107743603B 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 叶棋;段政宇;S·J·迪兰;A·达塔 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G06F1/04 分类号: G06F1/04;H03K3/037;H03K3/3562;H03K19/00;G01R31/3185
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张曦
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种MOS器件包括第一锁存器,第一锁存器被配置有一个锁存器反馈F并且被配置为接收锁存器输入I和锁存器时钟C。第一锁存器被配置为输出Q,其中输出Q是CF、IF和的函数,并且锁存器反馈F是输出Q的函数。第一锁存器可以包括串联堆叠的第一晶体管集合,其中第一晶体管集合包括至少五个晶体管。该MOS器件可以进一步包括耦合到第一锁存器的第二锁存器。第二锁存器可以被配置为在扫描模式中作为锁存器并且在功能模式中作为脉冲锁存器。在扫描模式期间,第一锁存器可以操作为主锁存器并且第二锁存器可以操作为从锁存器。
搜索关键词: 反馈 锁存器 电路
【主权项】:
1.一种金属氧化物半导体(MOS)器件,包括:第一锁存器,被配置有一个锁存器反馈F并且被配置为接收锁存器输入I和锁存器时钟C,所述第一锁存器被配置为输出Q,其中所述输出Q是CF、IF和的函数,并且所述锁存器反馈F是所述输出Q的函数;其中所述锁存器反馈F在功能上是并且所述输出Q在功能上是
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