[发明专利]一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法和装置在审
| 申请号： | 202110692948.8 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113946934A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘建云;陈岚;孙艳;曹鹤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/02;G06F119/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法和装置，计算得到半导体互连结构下层结构的各个位置的图形区高度和下层结构的空白区高度，将各个位置的图形区高度分别减去空白区高度得到的差值，作为各个位置的不平坦性表征参数高度差值，将不平坦性表征参数高度差值叠加到单层CMP模型中得到新模型，以利用新模型对半导体互连结构的上层结构进行化学机械研磨仿真。从而可对单层CMP模型进行修正得到新模型，由于新模型考虑了半导体互连结构的下层结构对上层结构的叠层效应，可以得到上层结构更准确的仿真预测结果，提升化学机械研磨根据仿真模型的预测精度，在设计阶段避免可能的缺陷，缩短产品从设计到制造的周期，协同提高产品的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 互连 结构 化学 机械 研磨 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】：
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