[发明专利]一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法和装置

权利要求书

1.一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的方法，其特征在于，包括：

计算得到半导体互连结构下层结构的各个位置的图形区高度和所述下层结构的空白区高度；

将所述各个位置的图形区高度分别减去所述空白区高度得到的差值，作为各个位置的不平坦性表征参数高度差值；

将所述不平坦性表征参数高度差值叠加到单层CMP模型中得到新模型，以利用所述新模型对所述半导体互连结构的上层结构进行化学机械研磨仿真。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述不平坦性表征参数高度差值叠加到单层CMP模型中得到新模型，包括：

将所述不平坦性表征参数高度差值和半导体互连结构的上层结构对应位置的表面高度相加得到修正后高度，将包括所述修正后高度的单层CMP模型作为所述新模型。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用所述新模型对所述半导体互连结构的上层结构进行化学机械研磨仿真，包括：

利用所述新模型对大块铜去除研磨阶段进行化学机械研磨仿真；

利用所述新模型对铜和阻挡层研磨阶段进行化学机械研磨仿真；

利用所述新模型对铜和介质层研磨阶段进行化学机械研磨仿真。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述图形区金属线的材料为铜；所述空白区介质层的材料为氧化硅；所述空白区阻挡层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述下层结构与所述上层结构的下侧相邻。

6.一种多层互连结构的化学机械研磨制程仿真的装置，其特征在于，包括：

第一计算单元，用于计算得到半导体互连结构下层结构的各个位置的图形区高度和所述下层结构的空白区高度；

第二计算单元，用于将所述各个位置的图形区高度分别减去所述空白区高度得到的差值，作为各个位置的不平坦性表征参数高度差值；

叠加单元，用于将所述不平坦性表征参数高度差值叠加到单层CMP模型中得到新模型，以利用所述新模型对所述半导体互连结构的上层结构进行化学机械研磨仿真。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述叠加单元，包括：

修正单元，用于将所述不平坦性表征参数高度差值和半导体互连结构的上层结构对应位置的表面高度相加得到修正后高度，将包括所述修正后高度的单层CMP模型作为所述新模型。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述利用所述新模型对所述半导体互连结构的上层结构进行化学机械研磨仿真，包括：

利用所述新模型对大块铜去除研磨阶段进行化学机械研磨仿真；

利用所述新模型对铜和阻挡层研磨阶段进行化学机械研磨仿真；

利用所述新模型对铜和介质层研磨阶段进行化学机械研磨仿真。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述图形区金属线的材料为铜；所述空白区介质层的材料为氧化硅；所述空白区阻挡层的材料为氮化硅。

10.根据权利要求6-9任意一项所述的装置，其特征在于，所述下层结构与所述上层结构的下侧相邻。