[发明专利]垂直互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110691142.7 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115513125A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 魏潇赟;朱江波;代兵;孙华锐;邓抄军 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 颜晶 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种垂直互连结构及其制造方法，属于芯片制造技术领域。该方法包括提供金刚石衬底，所述金刚石衬底具有孔。在所述孔中形成导电柱。所述导电柱与孔壁接触的表面的材料为钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银中的至少一种。金属钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银与金刚石之间的浸润性较好，能够使导电柱与金刚石衬底形成良好的结合，从而避免导电柱脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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