[发明专利]垂直互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110691142.7 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115513125A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 魏潇赟;朱江波;代兵;孙华锐;邓抄军 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 颜晶 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种垂直互连结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供金刚石衬底(10)，所述金刚石衬底(10)具有孔(10a)；
在所述孔(10a)中形成导电柱(20)，所述导电柱(20)与孔壁接触的表面的材料为钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述孔(10a)中形成导电柱(20)，包括：
在所述孔(10a)中填充金属浆料(30)，所述金属浆料(30)包括金属颗粒(301)，所述金属颗粒(301)的材料包括钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银中的一种或多种；
对填充有所述金属浆料(30)的所述金刚石衬底(10)进行烧结，在所述孔(10a)中形成所述导电柱(20)。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述孔(10a)中形成导电柱(20)，包括：
在所述孔壁形成过渡层(50)，所述过渡层(50)的材料包括钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银中的一种或多种；
在所述孔(10a)中填充金属浆料(30)，所述金属浆料(30)包括金属颗粒(301)；
对填充有所述金属浆料(30)的所述金刚石衬底(10)进行烧结，在所述孔(10a)中形成所述导电柱(20)。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述过渡层(50)包括依次形成的钛层(51)、铂层(52)和金层(53)。
5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述金属颗粒(301)的材料包括钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银中的一种或多种。
6.根据权利要求2～5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述金属颗粒(301)的粒径为10nm～1000nm。
7.根据权利要求2～6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述金属浆料(30)的溶剂为醇类、酚醛类、水中的至少一种。
8.根据权利要求2～7任一项所述的制造方法，其特征在于，所述金属浆料(30)中，所述金属颗粒(301)的体积占比为60％～80％。
9.根据权利要求2～8任一项所述的制造方法，其特征在于，烧结温度小于等于120℃。
10.根据权利要求1～9任一项所述的制造方法，其特征在于，所述孔(10a)包括通孔和盲孔中的至少一种。
11.一种垂直互连结构，其特征在于，所述垂直互连结构采用如权利要求1～10任一项所述的制造方法制造。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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