[发明专利]一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110688710.8 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113422293B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 侯玉菲;赵德刚;梁锋;陈平;杨静;刘宗顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器，包括：下波导层；多量子阱层，形成于所述下波导层上；以及阶梯状上波导层，形成于所述多量子阱层上；其中，所述阶梯状上波导层包括：In |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 阶梯 波导 ingan gan 量子 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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