[发明专利]基板处理方法在审
| 申请号： | 202110673589.1 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113421819A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 日野出大辉;藤井定;武明励 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能缩短形成低表面张力液体的液膜所需的时间并良好地排除液膜的基板处理方法。该方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；处理液供给工序，向基板供给包含水的处理液；基板旋转工序，使基板旋转；液膜形成工序，使基板以第一旋转速度旋转且向上表面供给表面张力低于水的低表面张力液体，使处理液置换为低表面张力液体，在上表面形成低表面张力液体的液膜；旋转减速工序，在处理液被置换为低表面张力液体后，继续进行液膜形成工序且使旋转减速到低于第一旋转速度的第二旋转速度；开口形成工序，在液膜形成工序结束后，在以第二旋转速度旋转的基板上的液膜的中央区域形成开口；液膜排除工序，使开口扩展，从上表面排除液膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
