[发明专利]一种射频无源器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110673375.4 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113380878A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺;马越 | 申请（专利权）人： | 天津市滨海新区微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/64;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人： | 周庆路 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区骊*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频无源器件及其制造方法，该射频无源器件包括：衬底；位于衬底上的绝缘层；以及射频无源器件；其中，衬底由下至上依次包括：第一掺杂区，以作为物理支撑；空间电荷区，以提高衬底整体的电阻率；以及第二掺杂区，以抑制绝缘层与衬底之间寄生反型层的形成。本发明在第一掺杂区的上表面区域形成了第二掺杂区，并使第二掺杂区处于完全耗尽状态；由于第二掺杂区处于完全耗尽状态并且掺杂浓度很高，其载流子浓度和载流子迁移率很低，可以有效抑制绝缘层与改进的衬底之间寄生反型层的形成，同时提高了该区域的电阻率，减少了电感在衬底上的损耗，解决了背景技术中的技术缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 无源 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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