[发明专利]晶片及晶片的制造方法在审
| 申请号： | 202110671355.3 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN114108092A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 朴钟辉;具甲烈;高上基;金政圭;张炳圭;崔正宇;甄明玉;沈钟珉 | 申请（专利权）人： | 赛尼克公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B33/00;G01N21/23;G01N23/20 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实例提供一种晶片及其制造方法，上述晶片具有用520nm波长的光测量时的相位差分布，上述相位差的平均值、最大值、偏差为特定值以下。根据实例的晶片具有如下优点：具有用520nm波长的光测量时的低相位差值，晶体几乎不发生扭曲或翘曲，表现出良好的晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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