[发明专利]一种透明导电电极及其低温制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110668834.X | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113421822A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 肖平;李梦洁;许世森;黄斌;赵东明;刘入维;冯笑丹;赵志国;秦校军;李新连;张赟;刘家梁;王百月;王森;张杰 | 申请（专利权）人： | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L31/0224;H01L51/44;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 100036 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电电极及其低温制备方法和应用，属于导电薄膜技术领域。从下至上依次包括，IZO层、金属层、WOx和ITO层，ITO层掺杂有氢在保证低电阻的同时能够提高光学透过率，并通过合理的光学设计，在电池的吸光层中形成光学谐振，从而进一步增强基于其制备的电子器件的光电转换效率。本发明的透明导电电极，是一种低阻值、高透过率的导电膜系，且可以实现低温制备，满足钙钛矿与晶硅、铜铟镓硒叠层的无损伤、低阻、高透的需求。该性透明导电电极在可见光范围内的平均透过率在85％以上，阻值为15ohm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 电极 及其 低温 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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