[发明专利]MOCVD腔体结构的控制方法

摘要

本申请涉及一种MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室。MOCVD腔体结构包括：天棚；石墨基座，位于天棚的下方，天棚与石墨基座之间形成气体流道，石墨基座的上表面设有多个凹槽，凹槽的侧壁上设有进气口；多个石墨盘，分别设置于对应的凹槽内，进气口位于石墨盘上方；多个盖板，分别可开闭的设置于对应的石墨盘上方，盖板关闭时遮盖对应的石墨盘；第一气路，穿过天棚连通气体流道；第二气路，穿过天棚连通凹槽侧壁上的进气口。本申请的MOCVD腔体结构可用于在一次生长过程中实现多种外延结构的生长，提高研发的效率。