[发明专利]MOCVD腔体结构的控制方法

权利要求书

1.一种MOCVD腔体结构的控制方法，其特征在于，所述MOCVD腔体结构包括：

天棚；

石墨基座，位于所述天棚的下方，所述天棚与所述石墨基座之间形成气体流道，所述石墨基座的上表面设有多个凹槽，所述凹槽的侧壁上设有进气口；

多个石墨盘，分别设置于对应的所述凹槽内，所述进气口位于所述石墨盘上方；

多个盖板，分别可开闭的设置于对应的所述石墨盘上方，所述盖板关闭时遮盖对应的所述石墨盘；

第一气路，穿过所述天棚连通所述气体流道，所述第一气路用于输送第一原料气；

第二气路，穿过所述天棚连通所述凹槽侧壁上的进气口，所述第二气路通入第二原料气；

所述方法包括：

启动所述石墨基座和石墨盘的旋转；

向所述第一气路中通入第一原料气，所述第一原料气进入所述气体流道，向所述第二气路通入第二原料气，所述第二原料气经过所述凹槽侧壁上的进气口进入所述凹槽；

选择性地控制所述盖板打开，以暴露对应的石墨盘，从而使所述第一原料气进入所述凹槽，所述第一原料气中的第一原料和所述第二原料气中的第二原料发生化学反应后在石墨盘上的衬底上进行沉积；

选择性地控制所述盖板关闭，以使所述盖板遮盖对应的石墨盘。

2.根据权利要求1所述的MOCVD腔体结构的控制方法，其特征在于，所述凹槽的深度为30mm～60mm。

3.根据权利要求1所述的MOCVD腔体结构的控制方法，其特征在于，所述MOCVD腔体结构还包括石墨基座覆盖板，所述石墨基座覆盖板位于所述石墨基座中心的上方，所述第二气路穿过所述石墨基座覆盖板连通所述凹槽侧壁上的进气口。

4.根据权利要求3所述的MOCVD腔体结构的控制方法，其特征在于，所述石墨基座覆盖板为石英材质或石墨材质。

5.根据权利要求1所述的MOCVD腔体结构的控制方法，其特征在于，所述石墨基座的下方设有加热器。

6.根据权利要求1所述的MOCVD腔体结构的控制方法，其特征在于，所述凹槽侧壁上的进气口的中心线与所述石墨盘上表面的距离为：5～10mm。

7.根据权利要求1所述的MOCVD腔体结构的控制方法，其特征在于，所述石墨基座的转动速度为100～500r/min，所述石墨盘的转动速度为100～300r/min。