[发明专利]用于从载体结构能量场辅助释放微电子装置的设备和方法在审
| 申请号： | 202110663856.7 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN115083945A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | A·M·贝利斯;B·P·沃兹;C·L·贝利斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及用于从载体结构能量场辅助释放微电子装置的设备和方法。从载体结构向上拾取微电子装置，同时施加能量场以从所述载体结构排斥所述微电子装置，或拉动所述载体结构远离所述微电子装置。颗粒嵌入在粘附到所述微电子装置的材料中，并且所述能量场是磁场，所述颗粒响应于所述磁场以在所述微电子装置或所述载体结构上生成原动力。还公开了在减薄的装置晶片的切单之前从所述装置晶片去除载体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 载体 结构 能量 辅助 释放 微电子 装置 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
