[发明专利]一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110663181.6 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410306B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王成熙;杜欣荣;王清波;赵杰;卓青青;温富刚 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之间的寄生电容；场氧化层内侧紧邻设置嵌入沟道的环状第一接触电极，且场氧化层内侧沉淀栅氧化层；环状第一接触电极上表面设置平整条状的多晶硅栅极，多晶硅栅极两端补分别与环状第一接触电极的对应栅氧化层区域重叠设置，多晶条形带界定了有源区的边界，可挡住注入的离子，注入离子的区域形成有源区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 辐射 加固 ldmos 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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