[发明专利]一种氮化镓功率器件结构及制备方法在审
| 申请号： | 202110650222.8 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113380876A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 叶荣辉;黄进文;李俊峰;蔡文钦 | 申请（专利权）人： | 四川美阔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 胡晓丽 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区玉龙*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓功率器件结构及制备方法，解决了现有技术中器件温度易升温，且易存在电流崩塌现象的问题。本发明包括衬底、AlGaN势垒层、栅介质层，所述衬底上表面设有第一微阱结构，所述第一微阱结构平行设置多组；所述AlGaN势垒层上表面上设有第二微阱结构，所述第二微阱结构平行设置多组，所述栅介质层生长在所述AlGaN势垒层上，所述栅介质层的下表面平行设置多组凹槽且与所述AlGaN势垒层上表面的第二微阱结构相嵌合；所述衬底为Si衬底，所述Si衬底上表面被刻蚀形成所述第一微阱结构，所述第一微阱结构的横截面为倒梯形，且倒梯形斜边角度为54°。本发明具有器件散热效果好，改善电流崩塌现象等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 功率 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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