[发明专利]发光元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110648357.0 申请日: 2021-06-10
公开(公告)号: CN113823722A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 永田贤吾;斋藤义树;片冈惠太;成田哲生;近藤嘉代 申请(专利权)人: 丰田合成株式会社
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 金世煜;李书慧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供具有n型接触层的发光元件及其制造方法,该n型接触层通过费米能级与导带的简并有效地降低了电阻,且由将Si作为掺杂剂的AlGaN构成。作为本发明的一个方式,提供发光元件(1),其具备费米能级与导带简并的由AlGaN构成的n型接触层(12)、和层叠于n型接触层(12)的由AlGaN构成的发光层(13),n型接触层(12)的Al成分比发光层(13)的Al成分大10%以上且为70%以下,n型接触层(12)含有发生上述简并的浓度且为4.0×1019cm‑3以下的浓度的Si。
搜索关键词: 发光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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