[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，具备：

费米能级与导带简并的、由AlGaN构成的n型接触层，和

层叠于所述n型接触层的、由AlGaN构成的发光层；

所述n型接触层的Al成分比所述发光层的Al成分大10％以上且为70％以下，

所述n型接触层以发生所述简并的浓度且为4.0×10¹⁹cm^-3以下的浓度含有Si。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述n型接触层的Al成分为50％以上。

3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中，所述n型接触层中含有的Si的浓度为1.6×10¹⁸cm^-3以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其中，所述n型接触层的电阻率为5×10^-2Ω·cm以下。

5.一种发光元件的制造方法，包括下述工序：

通过气相沉积法形成费米能级与导带简并的由AlGaN构成的n型接触层的工序，和

在所述n型接触层上形成由AlGaN构成的发光层的工序；

所述n型接触层的Al成分比发光层的Al成分大10％以上且为70％以下，

所述n型接触层以发生所述简并的浓度且为4.0×10¹⁹cm^-3以下的浓度含有Si，

形成所述n型接触层的工序中的所述n型接触层的原料气体的V/III比在1000～3200的范围内。

6.根据权利要求5所述的发光元件的制造方法，其中，形成所述n型接触层的工序中的所述n型接触层的生长温度为1150℃以下。

7.一种发光元件，具备：

由n型的AlGaN构成的n型接触层，

所述n型接触层上的发出深紫外光的发光层，

所述发光层上的由含有二维空穴气的AlGaN构成的电流扩散层，

与所述电流扩散层的上表面的一部分连接的、由p型的GaN或Al成分为35％以下的p型的AlGaN构成的p型接触层，

与所述n型接触层连接的n电极，以及

与所述p型接触层连接的p电极。

8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，所述电流扩散层具有：由Al成分在50％～70％的范围内的p型的AlGaN构成的第一AlGaN层，和直接设置于所述第一AlGaN层上的、由Al成分在30％～50％的范围内的p型或i型的AlGaN构成的第二AlGaN层；

所述第二AlGaN层在与所述第一AlGaN层的界面附近具有所述二维空穴气。

9.根据权利要求7或8所述的发光元件，其中，所述电流扩散层的所述上表面的接触所述p型接触层的区域的面积在所述上表面的全部区域的面积的40％～80％的范围内。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的发光元件，其中，所述电流扩散层的上表面的连接所述p型接触层的区域以外的区域的至少一部分被由绝缘材料构成的钝化膜覆盖。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的发光元件，其中，在所述电流扩散层的上表面的连接所述p型接触层的区域以外的区域的上方设有反光层。

12.一种发光元件，具备：

由AlGaN构成的第一n型接触层，

所述第一n型接触层上的发出深紫外光的发光层，

所述发光层上的由AlGaN构成的p型层，

所述p型层上的与所述p型层形成隧道结的、费米能级与导带简并的、由AlGaN构成的第二n型接触层，

与所述第一n型接触层连接的n电极，以及

与所述第二n型接触层连接的p电极；

所述第二n型接触层的Al成分在40％～70％的范围内。