[发明专利]一种低功耗三维阻变存储器在审
| 申请号： | 202110647502.3 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113421963A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;陈青钰;王宗巍;张霜杰;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学;钱塘科技创新中心 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低功耗三维阻变存储器，在阻变存储器的电极与阻变薄膜之间插入了一层石墨烯阻挡层，所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜，其中存在少量纳米缺陷孔。该石墨烯阻挡层可以限制电极金属往阻变层的移动，使金属只能从少量的缺陷孔中通过，限制金属导电细丝的生长。因此，器件在数据写入过程中只能形成较细、较少的金属导电细丝，从而在数据擦除过程中大幅降低数据擦除电流，显著降低阻变存储器的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 三维 存储器 | ||
【主权项】：
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