[发明专利]一种集成电路晶圆背面处理工艺在审
| 申请号： | 202110640301.0 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113380615A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 肖笛;涂利彬;肖广源;罗红军 | 申请（专利权）人： | 上海华友金裕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/02;H01L21/683;C23C14/16 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 201700 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路晶圆背面处理工艺，本发明的有益效果：通过在晶圆减薄的工序前增加一道贴玻璃工序，提高了晶圆的整体支撑力，提高成品率，可以将晶圆厚度降低，可以明显降低接触电阻，降低热阻，提高芯片性能；本工艺中选用钛作为底层与晶圆直接接触，另外选用镍和银作为导电金属，利用电子束的方式分别加热钛、镍、银，使钛、镍、银蒸发并依次沉积在晶圆表面，将源极或漏极导出；通过电化学的方式来增加金属银层厚度，可以将金属银层的厚度提高到80um左右，同时保证金属层的结合力和金属层厚度均匀；晶圆背面贴膜可保护去除晶圆表面玻璃时对晶圆损伤，同时对晶圆划片切割作准备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 背面 处理 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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