[发明专利]超宽稳定温区的高温高介电电容材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110640228.7 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN113488336A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 万玉慧;曹福林;宋佳晨;侯宁静;任鹏荣;赵高扬 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 杨洲
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了超宽稳定温区的高温高介电电容材料及其制备方法,电容材料的化学组成为0.99[(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xNaNbO3]‑0.01Sr0.8Na0.4Nb2O6,其中x=0.25电容材料的制备过程为先对原始粉料进行烘干处理,接着称取原始粉料;然后对原始材料进行一次球磨后进行预烧,接着二次球磨后等静压成型,最后在高温炉空气气氛中烧结。电容材料在室温下的介电常数ε′为1250,且以室温下的介电常数为基准,介电常数在此基准上下波动15%对应的温区为‑90℃~383℃,介电损耗小于0.02对应的温区为‑63℃~357℃。同时满足介电常数和损耗的稳定温区为‑63℃~357℃。该种电容材料制备原料来源广泛,制备所得陶瓷介电性能优异,制备工艺简单,成本低且重复性好。
搜索关键词: 稳定 高温 高介电 电容 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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