[发明专利]凸点电极基板的形成方法在审
| 申请号： | 202110631207.9 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113782450A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 服部贵洋;须藤皓纪;冈田弘史;相马大辅 | 申请（专利权）人： | 千住金属工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 褚瑶杨;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 【课题】本发明的目的在于提供一种凸点电极基板的形成方法，其能抑制空洞的产生和凸块高度的偏差的问题，同时能够抑制不润湿。【解决手段】该方法具备如下步骤：在设置于基板的电极之上涂布第一助焊剂；装载焊料材料；加热该基板并在该电极形成焊料凸块；使该焊料凸块变形，在该焊料凸块设置平坦面或凹部；在该焊料凸块涂布第二助焊剂；在该焊料凸块之上装载具有芯部分与覆盖该芯部分表面的焊料层的芯材料；加热该基板并通过该焊料凸块和该焊料层使该芯材料与该电极接合。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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