[发明专利]凸点电极基板的形成方法在审
申请号: | 202110631207.9 | 申请日: | 2021-06-07 |
公开(公告)号: | CN113782450A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 服部贵洋;须藤皓纪;冈田弘史;相马大辅 | 申请(专利权)人: | 千住金属工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 褚瑶杨;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 形成 方法 | ||
【课题】本发明的目的在于提供一种凸点电极基板的形成方法,其能抑制空洞的产生和凸块高度的偏差的问题,同时能够抑制不润湿。【解决手段】该方法具备如下步骤:在设置于基板的电极之上涂布第一助焊剂;装载焊料材料;加热该基板并在该电极形成焊料凸块;使该焊料凸块变形,在该焊料凸块设置平坦面或凹部;在该焊料凸块涂布第二助焊剂;在该焊料凸块之上装载具有芯部分与覆盖该芯部分表面的焊料层的芯材料;加热该基板并通过该焊料凸块和该焊料层使该芯材料与该电极接合。
技术领域
本公开涉及凸点电极基板的形成方法。
背景技术
Cu芯球是在Cu球等芯部分的表面覆盖焊料而形成有焊料层的球状芯材料。关于芯部分的Cu球等,也可以在覆盖焊料层之前覆盖Ni而形成Ni层。本申请中,形成有Ni层的Cu球等也称为芯部分。Cu芯球将基板之间接合并起到间隔物的作用,保持基板间的距离恒定。通过使用Cu芯球,能够抑制基板间的压坏。另外具有Cu的芯部分的Cu比Sn导电性高,在芯部分通有电流,由此可以改善装置的通电性,得到良好的耐电迁移性。
专利文献1公开了下述内容,对于Cu芯球,在焊料熔融前将氧化膜厚度管理在一定值以下,但无法像焊料球那样仅靠黄色度正确管理氧化膜厚度。
现有技术文献
专利文献
【专利文献1】日本专利第5692314号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
将Cu芯球接合到电极时,设定芯部分维持有焊料层覆盖的状态,但芯部分的表面可能产生不存在焊料层之处。芯部分的表面不存在焊料层的状态下,欲将基板与基板、CPU与基板、或者部件与基板接合时,会发生所谓“不润湿”的问题。不润湿是指下述问题,例如在Ni层的表面由Ni层与焊料层的反应而形成金属间化合物,该金属间化合物排斥焊料贴合,焊料不能附着在芯部分的表面。
使用Cu芯球进行层积基板的接合的情况下,在第一次封装时若Cu芯球上发生不润湿,则在第二次封装时,即使在没有接合Cu芯球一侧的基板的电极上涂布焊膏,如前所述,因为在Ni层的表面上形成的金属间化合物排斥焊膏,因此也有无法改善不润湿的情况。
因为该不润湿的问题起源于焊料量不足,为了消除不润湿,可以考虑增厚覆盖芯部分的焊料层这样的改善措施。但是,关于Cu芯球,因为从芯部分的偏心控制、高正球度的实现以及生产效率的观点出发,利用电镀进行大量生产是主流,电镀法形成的焊料层的厚度有上限。另外,焊料层越厚,还会产生Cu芯球的生产效率越低的问题。
作为另外的改善措施,考虑在将Cu芯球与电极接合之前,向电极涂布好焊膏。该情况下,能够抑制不润湿,但是由于焊膏的原因,有产生空洞、焊料凸块的高度偏差的问题。
本发明是为了解决上述那样的技术问题而实施的,其目的在于提供一种凸点电极基板的形成方法,其能够抑制空洞的产生和凸块高度的偏差的问题,同时能够抑制不润湿。
解决技术问题的手段
本发明的凸点电极基板的形成方法的特征在于具备如下步骤:在设置于基板的电极之上涂布第一助焊剂;进行焊料材料的装载;加热该基板并在该电极上形成焊料凸块;使该焊料凸块变形,在该焊料凸块设置平坦面或凹部;在该焊料凸块涂布第二助焊剂;在该焊料凸块之上装载具有芯部分与覆盖该芯部分的表面的焊料层的芯材料;加热该基板并通过该焊料凸块和该焊料层使该芯材料与该电极接合。
本发明的另外的凸点电极基板的形成方法的特征在于具备如下步骤:通过对电极和绝缘膜露出的基板涂布助焊剂,使该助焊剂至少覆盖该电极;在该助焊剂之上载置具有芯部分与覆盖该芯部分的表面的焊料层的芯材料、焊料材料;加热该基板并通过该焊料层与该焊料材料使该芯材料与该电极接合。
本公开的其它特征将在下文中进行明确说明。
发明效果
根据本公开,能够抑制空洞的产生和凸块高度的偏差的问题,同时能够抑制不润湿。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造