[发明专利]凸点电极基板的形成方法在审
申请号: | 202110631207.9 | 申请日: | 2021-06-07 |
公开(公告)号: | CN113782450A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 服部贵洋;须藤皓纪;冈田弘史;相马大辅 | 申请(专利权)人: | 千住金属工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 褚瑶杨;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 形成 方法 | ||
1.一种凸点电极基板的形成方法,其中,该方法具备如下步骤:
在设置于基板的电极之上涂布第一助焊剂;
装载焊料材料;
加热所述基板并在所述电极形成焊料凸块;
使所述焊料凸块变形,在所述焊料凸块设置平坦面或凹部;
在所述焊料凸块涂布第二助焊剂;
在所述焊料凸块之上装载具有芯部分和覆盖所述芯部分表面的焊料层的芯材料;
加热所述基板,并通过所述焊料凸块和所述焊料层使所述芯材料与所述电极接合。
2.根据权利要求1所述的凸点电极基板的形成方法,其中,所述焊料材料为焊料球。
3.根据权利要求1所述的凸点电极基板的形成方法,其中,所述焊料材料为预成型焊料。
4.根据权利要求3所述的凸点电极基板的形成方法,其中,装载所述焊料材料时,在所述电极之上装载涂布有所述第一助焊剂的结构的所述焊料材料。
5.根据权利要求1所述的凸点电极基板的形成方法,其中,所述平坦面由压印装置形成。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的凸点电极基板的形成方法,其中,所述芯材料为Cu芯球。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的凸点电极基板的形成方法,其中,所述芯材料的形状为圆柱或棱柱。
8.一种凸点电极基板的形成方法,其中,该方法具备如下步骤:
通过对电极和绝缘膜露出的基板涂布助焊剂,所述助焊剂至少覆盖所述电极;
在所述助焊剂之上装载具有芯部分和覆盖所述芯部分表面的焊料层的芯材料、以及焊料材料;
加热所述基板,并通过所述焊料层和所述焊料材料使所述芯材料与所述电极接合。
9.根据权利要求8所述的凸点电极基板的形成方法,其中,
所述助焊剂涂布于所述电极与所述电极的周围;
将所述芯材料和所述焊料材料装载于所述助焊剂之上时,所述芯材料和所述焊料材料中的一方在所述电极之上,另一方在所述绝缘膜之上。
10.根据权利要求8或9所述的凸点电极基板的形成方法,其中,所述助焊剂为水溶性助焊剂,所述水溶性助焊剂将所述芯材料和所述焊料材料临时固定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造