[发明专利]形成鳍式场效应晶体管的方法在审
| 申请号： | 202110625083.3 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113745163A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 形成鳍式场效应晶体管的方法包括：蚀刻第一和第二半导体鳍以形成第一和第二凹进，外延生长n型源/漏极区，n型源/漏极区包括来自第一和第二凹进的第一部分和第二部分以及二者之间的拥有凹面顶面的第一中间部分。第一接触开口形成并延伸入n型源/漏极区，并带有一个V型底部。方法还包括：蚀刻第三和第四半导体鳍以形成第三和第四凹进，以及形成p型源/漏极区，p型源/漏极区包括来自第三和第四凹进的第三部分和第四部分以及二者之间的拥有凸面顶面的第二中间部分。第二接触开口形成并带有第二V型底部，第二V型底部的尖端指向下。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
