[发明专利]形成鳍式场效应晶体管的方法

说明书

形成鳍式场效应晶体管的方法包括：蚀刻第一和第二半导体鳍以形成第一和第二凹进，外延生长n型源/漏极区，n型源/漏极区包括来自第一和第二凹进的第一部分和第二部分以及二者之间的拥有凹面顶面的第一中间部分。第一接触开口形成并延伸入n型源/漏极区，并带有一个V型底部。方法还包括：蚀刻第三和第四半导体鳍以形成第三和第四凹进，以及形成p型源/漏极区，p型源/漏极区包括来自第三和第四凹进的第三部分和第四部分以及二者之间的拥有凸面顶面的第二中间部分。第二接触开口形成并带有第二V型底部，第二V型底部的尖端指向下。

技术领域

本发明的实施例涉及形成鳍式场效应晶体管的方法。

背景技术

在鳍式场效应晶体管的形成中，源极/漏极区域典型的构造过程是通过形成半导体鳍，凹进半导体鳍以形成凹进，以及从凹进开始生长外延区域。

从邻近半导体鳍的凹进生长的外延区域可以相互融合，这样得到的外延区域可以拥有平坦的顶面。形成源极/漏极接触插件以电连接到源极/漏极区域。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：形成n型鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：在第一半导体鳍和第二半导体鳍上形成第一栅极堆叠件；蚀刻第一半导体鳍和第二半导体鳍的第一部分以分别形成第一凹进和第二凹进；和进行第一外延工艺以形成n型源/漏极区，其中n型源/漏极区包含由第一凹进生长的第一部分和由第二凹进生长的第二部分以及连接到第一部分和第二部分的第一中间部分，其中第一中间部分具有凹面顶面；以及形成p型FinFET包括：在第三半导体鳍和第四半导体鳍上形成第二栅极堆叠件；蚀刻第三半导体鳍和第四半导体鳍的第二部分以分别形成第三凹进和第四凹进；和进行第二外延工艺以形成p型源/漏极区，其中源/漏极区包含由第三凹进生长的第三部分和由第四凹进生长的第四部分以及连接到第三部分和第四部分的第二中间部分，其中第二中间部分具有凸面顶面。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：形成n型鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：形成n型源/漏极区，包括：沉积第一外延层，其中第一外延层包括在第一半导体鳍中的第一凹进中生长的第一部分、在第二半导体鳍中的第二凹进中生长的第二部分以及将第一部分连接到第二部分的第一中间部分；和在第一外延层上方沉积第一覆盖层，其中第一覆盖层包括直接位于第一中间部分上方的第二中间部分，并且第二中间部分具有凹面顶面；以及形成p型FinFET，包括形成p型源/漏极区，包括：沉积第二外延层，第二外延层包括在第三半导体鳍中的第三凹进中生长的第三部分、在第四半导体鳍中的第四凹进中生长的第四部分以及将第三部分连接到第四部分的第三中间部分；在第二外延层上方沉积第二覆盖层，其中第二覆盖层包括直接位于第三中间部分上方的第四中间部分，并且第四中间部分具有凸面顶面。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：蚀刻第一半导体鳍和第二半导体鳍以分别形成第一凹进和第二凹进；外延生长n型源/漏极区，n型源/漏极区包括：由第一凹生长第一部分；由第二凹进生长的第二部分；以及和位于第一部分和第二部分之间的第一中间部分，其中第一中间部分具有凹面顶面；形成延伸进n型源/漏极区的第一接触开口，其中第一接触开口包括第一V形底；蚀刻第三半导体鳍和第四半导体鳍以分别形成第三凹进和第四凹进；形成p型源/漏极区，p型源/漏极区包括：由第三凹进生长的第三部分；由第四凹进生长的第四部分；和位于第三部分和第四部分之间的第二中间部分，其中第二中间部分具有凸面顶面；以及形成延伸进p型源/漏极区的第二接触开口，其中蚀刻具有凸面顶面的第二中间部分，第二接触开口包括第二V形底，第二V形底的尖端指向下。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。