[发明专利]一种鳍及鳍式场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202110616316.3 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114267638A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 青岛昇瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266426 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍及鳍式场效应晶体管的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成P阱区和N阱区；在衬底上形成均匀分布的侧墙；去除多余的侧墙；以侧墙为掩膜刻蚀外延硅层至P阱区或N阱区内部以形成鳍，不同鳍之间形成沟道；在沟道处形成沟道隔离层。该方法只需提前将多余鳍的侧墙去除，即可避免了后续工艺中对多余的鳍的刻蚀过程，从而避免了刻蚀不足或者刻蚀过量所导致的沟道深度不均匀、沟道隔离层高度不均匀的现象。该方法所制备出的鳍的高度均匀、沟道深度均匀以及沟道隔离层高度均匀，改善了由依据该方法所制备出的鳍形成的器件的性能，提高了产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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