[发明专利]孔结构化学机械研磨方法及半导体器件的制造方法在审
申请号: | 202110611296.0 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN115440651A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 贺腾飞;林军;张建栋 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/321;H01L21/3105 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 虞凌霄 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种孔结构化学机械研磨方法及半导体器件的制造方法,所述孔结构化学机械研磨方法包括:获取形成有孔结构的半导体结构,所述半导体结构上形成有孔填充金属,所述半导体结构包括所述孔填充金属下的阻挡层和所述阻挡层下的氧化层,所述孔填充金属填入所述孔结构中;对所述孔填充金属进行第一化学机械研磨,以终止点监测的方式设定第一信号窗口,将研磨终止点设定在所述孔填充金属与所述阻挡层的过渡界面;在所述第一化学机械研磨之后进行第二化学机械研磨,去除所述阻挡层,以终止点监测的方式设定第二信号窗口,将研磨终止点设定在所述阻挡层与所述氧化层的过渡界面。本发明能够降低第一电介质层的厚度和均匀性受外界因素影响的波动。 | ||
搜索关键词: | 结构 化学 机械 研磨 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造