[发明专利]瓷介电容保护方法有效
| 申请号： | 202110603149.9 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113347806B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 宋克非;刘世界;陈波;韩振伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H05K3/34 | 分类号： | H05K3/34 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种瓷介电容保护方法，包括以下步骤：S1、将瓷介电容的两根引线弯曲成倒圆弧直角型；S2、将两根引线与电路板进行焊接；S3、分层对瓷介电容与电路板之间进行注胶加固；S4、将两根引线与电路板的焊接处分别进行点胶灌封。本发明可以提高瓷介电容，特别是引线式高压瓷介电容的抗外来冲击和振动的力学特性，减少随运载火箭发射、入轨时经历复杂力学环境后的损坏风险，提高瓷介电容的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 保护 方法 | ||
【主权项】：
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