[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110601584.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113571614B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN反射层、AlN应力释放层、AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；AlN反射层为周期性结构，AlN反射层包括交替层叠的AlN膜层和AlON膜层，AlN膜层的折射率和AlON膜层的折射率不同；AlN应力释放层为周期性结构，AlN应力释放层包括交替层叠的多个第一AlN层和多个第二AlN层，第一AlN层采用物理气相沉积的方式生长，第二AlN层采用金属有机化合物化学气相沉积的方式生长，前若干个周期中的第二AlN层的生长温度低于剩余周期中的第二AlN层的生长温度。本公开能减少外延片的位错缺陷，改善外延片的晶体质量，且还能提高AlN膜层的反光效果，提升外延片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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