[发明专利]一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构及制备方法在审
| 申请号： | 202110599002.7 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113292039A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林亚宁;赖金明;程隽隽;周俊;倪经;吴燕辉;陈学平;李林玲;冯旭文;黄河 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构，属于微波集成器件领域，所述电路膜层结构从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层，优选在所述金膜层与铜膜层之间，还设置有阻挡膜层；本发明还公开了上述电路膜层结构的制备方法；使用本申请的电路膜层结构与现有技术相比，MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件的插入损耗能够降低0.2‑0.3dB，满足MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件应用的低损耗要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 硅基腔体 环行器 隔离器 电路 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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